A-level 物理 (高等物理)/半導體

矽，摻雜了 磷

半導體具有介於導體和絕緣體之間的電導率。它們的導電性低於金屬，但與金屬不同的是，當半導體升溫時，其電導率會升高。在金屬中，會發生相反的效果。

造成這種情況的原因是，在半導體中，只有極少數原子被電離，因此只有極少數電子可以移動，從而產生電流。然而，當半導體升溫時，共價鍵（原子共享電子，導致電子相對靜止）斷裂，釋放了電子。因此，隨著溫度升高，半導體的電導率以越來越快的速度上升。

半導體的例子包括矽和鍺。在 維基百科 上可以找到完整的半導體材料列表。在室溫下，矽的電導率約為 435 μS m⁻¹。

半導體通常被“摻雜”。這意味著以少量新增離子，根據需要使半導體具有更多或更少的自由電子。這由離子的電荷來控制。

問題

1. 室溫下矽的電阻率是多少？

2. 半導體在什麼型別的可變電阻器中會很有用？

3. 如果將正離子新增到矽中（摻雜它），其電導率會如何變化？ 解答

4. 半導體的實際應用是什麼？

另見

• 關於 半導體 的書籍。