電子學/FET
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如今最常見的電晶體是 FET（場效應電晶體）。這類電晶體的特點是源極和漏極之間的電導依賴於柵極和源極端子之間所施加的電壓。如果柵極到漏極電壓也較高，且柵極到源極電壓也較高，則這種依賴關係是線性的。如果柵極到漏極電壓不足，它將變為平方律關係。
電路設計中出現的一個問題是，隨著晶片尺寸的減小，絕緣體變得越來越薄，看起來像瑞士乳酪。因此，絕緣體開始像導體一樣工作。這被稱為漏電流。一種解決方案是用具有更高介電常數的材料代替絕緣體。
兩種型別：增強型和耗盡型。增強型是標準的 MOSFET，其中必須透過施加電壓來感應通道。耗盡型 MOSFET 具有植入的通道，施加電壓會導致通道不再導電。
FET 電晶體對柵極和源極之間的電壓偏置差異作出響應。
MOSFET（金屬-氧化物-半導體 FET）：標準 FET
JFET（結型 FET）：當源極和漏極之間施加電壓時，電流流動。只有當柵極施加電壓時，電流才停止流動。
MESFET（金屬-半導體 FET）：pn 結被肖特基結取代。不使用矽製成。
HEMT（高電子遷移率電晶體）：一種 MESFET
PHEMT（贗晶 HEMT）