電子學/MOSFET
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CMOS，互補金氧半導體不是一種電晶體型別。它是一種邏輯族，基於MOS電晶體。
CMOS由兩個FET構成，分別阻擋正負電壓。由於一次只能有一個FET導通，CMOS在任何邏輯狀態下消耗的功率都可忽略不計。但當狀態之間發生轉換時，器件會消耗功率。這種消耗的功率有兩種型別。
短路功率
- 在很短的時間內，兩個電晶體都處於導通狀態，在此期間會有非常大的電流流過器件。這部分電流大約佔CMOS總功耗的10%。
動態功率
- 這是由於器件輸出節點的寄生電容儲存的電荷引起的。這種寄生電容取決於導線的面積，以及與IC中其他金屬層的距離，以及隔開連續金屬層的石英層的相對介電常數。它還取決於（在較小程度上）下一邏輯閘的輸入電容。這種電容會延遲輸出電壓的上升，因此門輸出的上升或下降更像是在電阻-電容 (RC) 網路中的上升或下降。因此，由於一個門中的切換動作而消耗的動態功率由下式給出
