自由知識文化日曆/6月4日

今天是 1968 年，美國授予了第一個電晶體 MOS 動態隨機存取儲存器 (DRAM) 單元和三種電晶體單元的基本思想的第 3,387,286 號專利。這是取代磁芯儲存器的動態 RAM 技術。