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電子材料/受限粒子/一維無限勢阱

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一維無限勢阱

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通常,考慮電子“被困”在一個封閉空間中是方便的,例如在具有與其周圍環境之間存在較大帶隙的半導體材料中。這種電子陷阱稱為“勢阱”。理論上最簡單的例子是一維無限勢阱,其中電子完全受限且永遠無法逃逸,因為這樣做需要無限的能量。

我們稍後將將其擴充套件到更多維度以及更現實的有限勢阱,其中電子可以逃逸。

現在,考慮一個被困在寬度為L的無限勢阱中的電子(右圖)。該系統的勢能由下式給出

在該區域之外找到電子的機率為零。根據波函式條件,該勢阱中電子的波函式必須是連續的,因此我們需要尋找一個在x=0x=L處為零的ψ(x)解。如果不是這樣,我們將在這裡有一個不連續性。

求解波函式

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我們需要求解薛定諤方程來找到ψ(x)

.

由於在這個區間上V(x)為零,我們可以寫成

.

重新排列,

回想一下,能量由下式給出

E代入我們的微分方程,得到

這是一個標準形式的二階微分方程。其通解為:

[General Solution]

應用邊界條件

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應用第一個邊界條件

因此,B=0。

應用第二個邊界條件

因此,kL必須是π的倍數。

我們稱A歸一化係數ψ0。它的存在是為了確保在整個空間中找到電子的機率為1。此外,當n=0時,整個方程變為零,電子存在的機率為零,因此,一維盒子中粒子的薛定諤方程的解從n=1開始。

因為我們在x方向上工作,所以我們將索引號稱為nx。這被稱為波數。與上述解相關的能量由下式給出:

這裡要注意兩點。

  • 只有當波數n為整數時,才能得到滿足薛定諤方程的波函式。
  • 每個波函式(本徵函式)都與其特定的能量(本徵值)相關聯。該能量與波數的平方成正比,並與n=1、E1時的波函式能量成正比。

下圖顯示了波數為1、2和3的波函式,並相對於E1繪製了相應的能量。

一旦找到波函式,就可以很容易地找到機率密度 - 只需取模數(對於復波函式)並平方即可。這將導致如下所示的機率密度。

歸一化係數

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我們可以利用電子一定存在於量子阱中的知識,以及機率密度函式下的面積為 1 的知識來求歸一化係數 ψ0

因此,對於我們的波函式,,

由於正弦曲線在一個完整週期的面積為零,所以我們有

結果表明,這與波數無關,因此我們得到一維無限勢阱中電子的歸一化波函式在阱外為零,而在阱內由以下方程給出:

[一維無限勢阱中粒子的波函式]

在阱內,相關的能量由以下公式給出:

[波函式相關的能量]

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