微處理器設計/光刻
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目前製造處理器和小規模積體電路的最先進工藝是使用光刻。光刻是一個複雜的多步驟過程。
晶圓是一個大的圓形盤，通常由摻雜的矽製成。每個晶圓可以容納多個晶片，排列成瓦片狀。每個晶圓上的晶片數量稱為產量。
在光刻中，通常有兩種重要的化學物質：酸和抗蝕劑。將設計的負片曝光，並將圖案投影到晶圓上。抗蝕劑被塗覆在晶圓上，它會粘附在暴露於光線的晶圓部分。一旦抗蝕劑被塗覆在晶圓上，它就會浸入酸中。酸會蝕刻掉沒有抗蝕劑覆蓋的任何一層。在頂層被溶解後，晶圓被清洗（以去除任何殘留的酸和抗蝕劑），並在晶圓頂部塗覆一層新的摻雜矽。一旦新的矽層被塗覆，該過程就會再次重複。
前兩種抗蝕劑的應用用於將基礎矽晶圓的薄而仔細成形的區域轉換為n型和p型w:摻雜 (半導體)（在這些步驟之後，沒有淨物質被新增或帶走）。等等——我以為摻雜是在多晶矽被新增後發生的？那是一個額外的摻雜階段，還是摻雜實際上不是前兩個階段？
之後，多晶矽、氧化矽和金屬層被新增，覆蓋整個晶圓。在新增每層所需材料後，使用抗蝕劑和酸來“圖案化”該層，保留所需區域並去除該層的不需要的區域。
在設計中指定的所有層都應用後，晶圓被“切割”成單獨的矩形“晶片”。然後對每個晶片進行封裝。
...測試是在晶圓切割之前進行嗎？之前和之後？...
- MOSIS (金氧半導體實現服務) 可能是最古老的（1981 年）積體電路 (IC) 代工服務。許多 VLSI 學生將他們的晶片傳送到 MOSIS 進行製造。