實用電子學/二極體/二極體工作特性

P-N結

正向偏置

半導體二極體的整流作用是由於在n型半導體和p型半導體之間的連線處發生的電效應，在被稱為p-n結的區域（下圖中灰色區域）

如下圖所示：如果電源的正極連線到p型半導體，電源的負極連線到n型半導體，電子將從n型材料流過結點到p型材料，空穴將反向流動。這將導致結點區域變窄，允許空穴和電子輕鬆移動。
這些現象被稱為正向偏置。p-n結將變窄，並且將允許更多的電子填充到空穴中，空穴將移動以捕獲電子。

反向偏置

如果電源反向安裝，n型中的正電荷和p型中的負電荷將阻止電子移動，從而導致勢壘。
p-n結將變寬，電子和空穴都將遠離結點移動，導致沒有電流可以流過結點。這些現象被稱為反向偏置。
因此，它或多或少地充當電流流動的單向閥。

IV曲線

所示圖表是p-n矽二極體的電流-電壓特性。

從IV曲線

:$v<v_{d}$ . $i=0$	二極體不導通電流
:$v=v_{d}$ . $i=1mA$	電流開始流動
:$v>v_{d}$ . $i=e^{\frac {v}{v_{d}}}mA$	二極體以指數方式導通電流

二極體的導通電壓

二極體的導通電壓表示二極體的偏置電壓以導通電流。二極體的導通電壓的符號為$v_{d}$ 矽（Si）二極體為0.7 V，鍺（Ge）二極體為0.3 V

極性和偏置電壓

當二極體以這樣的方式與電壓源連線，即二極體的極性與電壓源的極性相反時，二極體被稱為正向偏置，當電壓大於正向偏置電壓時，電流將流動，並且隨著時間的推移按指數方式增加，方向指向箭頭方向

當二極體以這樣的方式與電壓源連線，即二極體的極性與電壓源的極性相同，二極體被稱為反向偏置，二極體不會導通電流