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半導體電子學/二極體/結構和工作原理

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二極體結構

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二極體是由兩個等效摻雜的P型和N型半導體連線而成。當它們連線在一起時,會發生一個有趣的現象。P型半導體具有過量的空穴,呈正電荷。N型半導體具有過量的電子。在P型和N型區域的接觸點,P型中的空穴會吸引N型材料中的電子。因此,電子會擴散並佔據P型材料中的空穴。導致靠近結點的N型區域中的一小部分割槽域失去電子,並表現為本徵半導體材料,在P型中,一小部分割槽域被空穴填滿,並表現為本徵半導體。

這個薄的本徵區域稱為耗盡層,因為它耗盡了電荷(參見上圖),因此具有很高的電阻。正是這個耗盡層阻止了多數載流子的進一步擴散。從物理角度來說,耗盡層的尺寸非常薄。

二極體偏置電壓

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零偏置

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當二極體處於零偏置狀態時,即沒有偏置,它只是保持原樣。幾乎沒有電流透過二極體。但是,如果您連線二極體的陽極和陰極,您可能會觀察到微小的電壓或電流,這些電壓或電流微不足道。這是因為我們環境中預設存在的電磁頻譜(微波背景、熱量、光、無線電波)會擊落構成電流的半導體晶格中的電子。出於實際原因,這種電流可以認為是零。

反向偏置

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在反向偏置中,P型區域連線到負電壓,N型區域連線到正極,如上圖所示。在這種情況下,P型中的空穴被來自電池/電池的電子填充(換句話說,空穴被吸出二極體)。N型材料中的電子被電池的正極吸出二極體。因此,二極體會耗盡電荷。因此,最初耗盡層會變寬(參見上圖),並佔據整個二極體。二極體提供的電阻非常大。在反向偏置中流動的電流僅由少數載流子引起,在矽中為納安培,在高功率矽和鍺二極體中為微安培。

正向偏置

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在正向偏置中,二極體的P區連線到電池的正極,N區連線到負極。在正向偏置期間,會發生以下過程。電池的正極將更多空穴泵入二極體的P區。負極將電子泵入N區。P區和N區中的過量電荷會對耗盡層施加壓力,使其收縮。隨著電壓升高,耗盡層會變得越來越薄,因此二極體會提供越來越小的電阻。由於電阻減小,電流會隨著電壓增加(儘管不是成正比)。

在某個特定的電壓水平Vf(稱為閾值/觸發/截止電壓)時,耗盡層會消失(被電荷淹沒),因此從這一點開始,二極體開始非常容易地導通。從這一點開始,二極體電流會隨著施加的電壓呈指數增長。

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