半導體電子/場效應電晶體/簡介

FET 或場效應電晶體是一種與 BJT 功能類似的器件，但其工作原理有所不同。BJT 是一種電流控制型器件，即流經集電極的電流是基極電流的函式 $I_{c}=f(I_{b})\,$ 。而在 FET 中，流過它的電流由電壓控制。

FET 與 BJT 相似。它有一個源極，類似於 BJT 的發射極。它有一個漏極，類似於 BJT 的集電極，還有一個柵極，類似於 BJT 的基極。FET 中的電流從源極流向漏極，並且是柵極和源極之間施加電壓的函式 $I_{FET}=f(V_{GS})\,$ 。

FET 通常具有非常高的輸入阻抗，範圍從幾歐姆到兆歐姆。它具有更簡單的結構，並且易於整合到積體電路中。FET 比 BJT 具有更高的溫度穩定性。以下是不同型別的 FET：