本頁將介紹場效應電晶體，它們的製造方式、工作原理及其基本特性。
場效應電晶體 (FET) 利用柵極 (G) 終端上的電勢產生的電場，在漏極 (D) 和源極 (S) 終端之間建立一個導電通道。
FET 比 BJT 更加穩定，線性度更高，噪聲更低，輸入阻抗非常高，輸出阻抗比 BJT 低得多，因此其功耗低於 BJT。
