半導體/電晶體作為放大器
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當第一個電晶體被髮明時，科學家首先將其用作放大器，只是為了證明其背後的數學概念。將電晶體用作放大器是一種極其重要的用途。從這種電晶體模型中，我們得到了諸如“電晶體收音機”之類的產品，這些產品依賴於電晶體進行訊號放大。本頁將討論電晶體及其作為放大器的使用背後的基本數學模型。
在典型的雙極結型電晶體 (BJT) 中，它是在三個層上構建的。這些層被稱為發射極、基極和集電極。發射極和集電極構成半導體層的大部分質量，而基極是它們之間的一個薄得多層。電流方向取決於電晶體是 NPN 型器件還是 PNP 型器件。發射極將電荷載流子提供給電晶體，基極控制器件電流，集電極收集電荷載流子。
NPN：一個 n 型、一個 p 型、一個 n 型適當摻雜的半導體依次連線，換句話說，它們被夾在中間。第一個 n 型半導體稱為集電極。下一個 p 型半導體稱為基極。下一個 n 型半導體稱為發射極。PNP：一個 p 型、一個 n 型、一個 p 型適當摻雜的半導體依次連線，換句話說，它們被夾在中間。第一個 p 型半導體稱為集電極。下一個 n 型半導體稱為基極。下一個 p 型半導體稱為發射極。
The emitter region is heavily doped. The base region is lightly doped. The collector region is moderately doped.
This condition is required for transistor to act as amplifier.Hence, it is doped so.
以下是放大器規則。
1)the base region should be very thin compared to collector and emitter
2)the emitter is heavily doped,the collector is moderately doped,the base is very lightly doped relatively.
3)for transistor to function as an amplifier the collector-base junction should be forward biased,the emitter-base junction
should be reverse biased
輸入/輸出關係：沒有特定的輸入-輸出關係，因為輸入和輸出不是固定的。它們根據電晶體的配置而變化。電晶體配置有 3 種類型。
1)common emitter configuration 2)common collector configuration 3)common base configuration
然後透過在輸入和輸出電路中應用基爾霍夫電壓和電流規則，可以根據配置找到輸入和輸出電路之間的關係。