半導體/可變電阻

MOSFET 線上性區的漏極電流由以下公式給出。

$IDS=\mu Cox{\frac {W}{L}}(VDS(VGS-VT)-{\frac {W}{L}}VDS^{2})$

因此，對於處於線性區的電晶體，隨著 VDS 的減小，VDS 平方項的影響逐漸消失。對於足夠小的 VDS，電流與 VDS 成正比，比例係數為

$GDS=\mu Cox{\frac {W}{L}}VDS(VGS-VT)$

電阻由下式給出

$RDS={\frac {1}{\mu Cox{\frac {W}{L}})(VGS-VT)}}$

因此，電阻受 VGS 控制。透過這種方式，可以使用電晶體實現可變電阻。