微技術/新增工藝

新增工藝

在晶片上新增材料的工藝。

氧化

微技術中的氧化通常指的是矽的氧化。在矽晶片表面形成的二氧化矽層可以輕鬆地進行圖案化。可以透過 熱氧化 或 沉積 來建立 SiO₂ 層。

化學氣相沉積 (CVD)

• 化學氣相沉積和等離子體增強 CVD

物理氣相沉積 (PVD)

• 物理氣相沉積 (PVD)

濺射沉積

• w:濺射
• 薄膜沉積

高能離子濺射靶材上的材料，這些材料透過等離子體擴散到基底，並在基底上沉積。陰極周圍沒有強烈的等離子體輝光，因為等離子體需要一定的距離才能由濺射過程中產生的少數次級電子觸發的電子雪崩產生。

電子束蒸發鍍膜

• 電子束蒸發鍍膜

外延生長

• 金屬有機化學氣相外延 (MOVPE)
• 分子束外延 (MBE) 使用固體源和 化學束外延 (CBE) 使用氣體源。
• 外延 總體而言。
• 原子層外延 僅沉積少數單層並與表面上的化學吸附位點鍵合。

電化學方法

電鍍

• 電鍍
• 標準反應電位表 標準還原電位

化學鍍

• 化學鎳鍍
• 金屬在矽上的電化學沉積
• Y. Okinaka，摘自 Glenn O. Mallory 和 Juan B. Hajdu 編輯的《化學鍍：原理與應用》，第 15 章，美國電鍍和表面處理協會 (1990)。

旋轉

光刻膠和電子束光刻膠以及許多其他聚合物通常透過將化合物的揮發性溶液旋轉到晶片上進行塗覆。

表面功能化

• 自組裝單層 (SAM)
• 疏水 和 親水 表面層，以控制 潤溼性。

參考文獻

另請參見關於編輯此書籍的說明，瞭解如何新增參考資料 Microtechnology/About#如何貢獻。