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微技術/蝕刻工藝

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來自華夏公益教科書

蝕刻劑

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溼法蝕刻劑

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蝕刻劑
蝕刻劑 化學式 CAS號 蝕刻 可能損壞
醋酸 CH3COOH(l) ? GaAs; Pb; Ti ?
鹽酸 HCl(38%, aq) ? Al; Cr; Cu; Fe2O3; Ga; GaN; In; Fe; Pb; Ni; NiO, Ni2O3; Sn;SnO2; Ti; Zn GaAs;
氫氟酸 HF(49%, aq) ? GaAs; Ni; SiO2; Ti; Al2O3 PMMA
硝酸 HNO3(70% aq) ? C; Cu; GaAs; In; Fe; Pb; Ni; Ag; Pd; Pt; Sn; Ti; Zn; ZnO ?
磷酸 H3PO4(85% aq) ? Al; Cu; GaAs; GaN; Fe; Ni; SiN; ZnO ?
氫氧化鉀 KOH(s/aq) ? Al; C; Cu; Ag; GaAs; Si; Ti ?
氫氧化鈉 NaOH(s/aq) ? Al; Cu; Ag; Ti; Si; GaAs; GaN ?
硫酸 (96%, aq) ? C; Cu; GaAs; Fe; Pb; Ni; Ti ?

資源

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維基百科

溼法蝕刻概述表

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溼法蝕刻概述表
材料 蝕刻劑混合物和比例 蝕刻速率 也蝕刻 不蝕刻 筆記 連結 參考資料
鋁 (Al) H3PO4(85%, aq)@120°C ? SiN ? 必須加熱 金屬蝕刻 [1]
鋁 (Al) 19 H3PO4(85%, aq):1 醋酸 (l, H3COOH):1 HNO3(70%, aq):2 H2O|} 40Å/s=240nm/min SiN, M SiO2, Si, PR 可能在室溫下與下面的類似蝕刻相比。 ? [2]
鋁 (Al) 16 H3PO4(85%, aq) : 1 醋酸 (l, H3COOH) : 1 HNO3(70%, aq) : 2 H2O 200nm/min@25°C, 600nm/min@40°C SiN, M SiO2, Si, PR ? ? [3]
鋁 (Al) 1 NaOH (s): 1H2O ? ? ? 可以在 25°C 下使用，加熱可以使其更快。 ? [4]
氮化鋁 (AlN) H3PO4(85%, aq)@85°C 30nm/min Ni, Ti Mo ? ? ?
氧化鋁 (Al2O3) 1 NH4OH(30%, aq) : 1 H2O2(30%, aq) : 3 H2O @80°C ~30-40 nm/min @80oC Al, Poly, PR, Mo SiO2, SiN, Si, M ? ? [5]
原子層沉積 (ALD) 生成的氧化鋁 (Al2O3) H3PO4 (85%) ~40-50 nm/min @ 70oC 銦鎵鋅氧化物 (IGZO) Au, Mo, PR
碳 (C) H3PO4(85%, aq): CrO3(s) : NaCN(s) ? SiN SiO2, Si, PR 重量/體積比？以及此反應中的化學物質以及被蝕刻的特定碳型別是什麼？ ? [6]
鉻 (Cr) 2 KMnO4(s) : 3 NaOH(s) : 12 H2O ? Al SiO2, SiN, Si, M, PR ? ? [7]
鉻 (Cr) 3HCl(38%, aq) : 1 水 ? ? ? ? ? [8]
鉻 (Cr) 1HCl(38%, aq) : 1 甘油 ? ? ? ? ? [9]
銅 (Cu) 30% FeCl3(s) ? Ni SiO2, SiN, Si, M, PR ? 金屬蝕刻 [10]
銅 (Cu) 5 HNO3(70%, aq) : 1 H20 ? ? ? ? ? [11]
銅 (Cu) 過硫酸銨 ? ? ? ? ? [12]
砷化鎵 (GaAs) CH3OH(l) 中 5% 體積 Br(l) 各向異性 Fe SiO2, SiN, Si, M Br 與甲醇反應生成 HBr - 注意！ ? [13]
砷化鎵 (GaAs) 1 NH4OH(30%, aq) : 1 H2O2(30%, aq) 各向異性 Al, Ag, Poly SiO2, SiN, Si, M ? ? [14]
金 (Au) 115g KI : 65g I : 100ml 水 ? Fe SiO2, SiN, Si, M, PR 替代配方 1 I2(s) : 2 KI(s): 10 H2O 金屬蝕刻 [15]

[16]

金 (Au) KCN(s) ? Ag, Cu Al2O3, SiO2, SiN, Si, M, PR ? 金屬蝕刻 [17]
金 (Au) 王水 (3 HCl(38%, aq) : 1 HNO3(70%, aq)) ? 蝕刻所有金屬 ? 使用後丟棄 金屬蝕刻 [18]
鐵 (Fe) 1 I2(s) : 2 KI(s): 10 H2O ? Au SiO2, SiN, Si, M, PR ? 鐵也透過 1HCl:1H2O; 1HNO3:1H2O 蝕刻。 [19]
鉛 (Pb) 醋酸 (l, H3COOH): H2O2(30% aq) ? ? ? 溶解焊點。蝕刻劑也可以稀釋使用，例如在水中稀釋 5 倍。 ? [20]
鉬 (Mo) 1 HCl(38%, aq):1 H2O2(30% aq) 100nm/min@18°C ? PR ? ? [21]
鉬 (Mo) 1 H2SO4(96%, aq) : 1 HNO3(70%, aq) : 1 水 ? ? ? ? ? [22]
鎳鉻 (NiCr) H2SO4(96%, aq)@100°C ? ? ? ? ? [23]
鎳鉻 (NiCr) 1 HCl(38%, aq) : 1 HNO3(70%, aq) : 3 水 ? ? ? ? ? [24]
鎳 (Ni) H2O 中 30% FeCl3(s) ? Cu SiO2, SiN, Si, M, PR ? 金屬蝕刻 [25]
鎳 (Ni) 5 HCl(38%, aq) : 1 HNO3(70%, aq) ? ? ? ? ? [26]
鎳 (Ni) 5 HF(49%, aq) : 1 HNO3(70%, aq) ? ? ? ? ? [27]
鈀 (Pd) 王水 (3 HCl(38%, aq) : 1 HNO3(70%, aq)) ? 蝕刻所有金屬 ? 使用後丟棄 金屬蝕刻 [28]
鉑 (Pt) 8 HCl(38%, aq) : 1 HNO3(70%, aq) 在 70°C 下使用 蝕刻所有金屬 ? 使用前陳化一小時！使用後丟棄 金屬蝕刻 [29]
鉑 (Pt) 3 HCl(38%, aq) : 1 HNO3(70%, aq): 4 H2O 在 95°C 下使用 蝕刻所有金屬 ? 使用後丟棄 金屬蝕刻 [30]
聚合物 5 NH4OH(30%, aq) : 1 H2O2(30%, aq) @ 120°C Al SiO2, SiN, Si, M 聚合物，如蠟、光刻膠、環氧樹脂... ? ? [31]
多晶矽 (PolySi) 50 HNO3(70%, aq): 20 H2O (l): 1 HF (49% aq) 540 nm/min @ 25°C ? ? 首先透過基於 HF 的蝕刻去除氧化物。 ? [32]
多晶矽 (PolySi) 3 HNO3(70%, aq): 1 HF (49% aq) 4.2 微米/分鐘 ? ? 首先透過基於 HF 的蝕刻去除氧化物。 ? [33]
殘留的抗蝕劑和聚合物殘留物 Piranha (酸性或鹼性) Al SiO2, SiN, Si 聚合物，如蠟、光刻膠、環氧樹脂... 如果 Piranha 與揮發性有機化合物混合，會形成爆炸物。如果樣品上存在太厚的殘留物，它往往會形成“燒焦”的碳殘留物。 Piranha
二氧化矽 (SiO2) 熱生長 緩衝 HF 6 體積 NH4F: 1 體積 HF 120 nm/min @ 25°C ? ? ? 二氧化矽蝕刻 [34]
二氧化矽 (SiO2) 1 HF(49%, aq) : 5 NH4F(40%, aq) : 5 H2O (BOE) 20 Å/s = 120nm/min @ 25°C M SiN, Si ? 二氧化矽蝕刻 [35]
二氧化矽 (SiO2) 熱生長 1 HF(49%, aq) : 10 水 20-30 nm/min @ 25°C PMMA; 聚 n+ Si ~1nm/min; 化學計量 SiN 1nm/min; 低應力 SiN ~3Å/min; Ti 1µm/min; Al ~.2-1µm/min; Si; 未摻雜的多晶矽； ? 二氧化矽蝕刻 [36]

[37]

二氧化矽 (SiO2) 熱生長 1 HF(49%, aq) : 100 水 1.8 nm/min @ 25°C ? ? ? 二氧化矽蝕刻 [38]
二氧化矽 (SiO2) 熱生長（溼氧化物） 49% HF 1.8-2.3 微米/分鐘 @ 25°C 化學計量 SiN 14nm/min; 低應力 SiN ~50nm/min;W <5nm/min; Ti >1µm/min; Al ~4nm/min; Si,PolySi ? 二氧化矽蝕刻 [39]

[40]

二氧化矽 (SiO2) CVD 1 HF(49%, aq) : 10 水 ? ? ? ? 二氧化矽蝕刻 [41]
矽 64 HNO3(70%, aq) : 3 NH4F(40%, aq) : 33 H2O 100 Å/s M SiN, PR 各向同性蝕刻 ? [42]
矽 (Si) 2 HF(49%, aq): 2 HNO3(70%, aq) : 1 水 ? ? ? ? 二氧化矽蝕刻 [43]
矽 (Si) 3 HF(49%, aq): 5 HNO3(70%, aq) : 3 醋酸 (l, H3COOH) ? ? ? ? 二氧化矽蝕刻 [44]
矽 (Si) 水中的 NaOH ? ? ? 使用接近沸點的幾乎飽和溶液 二氧化矽蝕刻 [45]
氮化矽 (Si3N4) H3PO4(85%, aq) 6.5 nm/min @ 25°C Al; ? 在 180°C 下使用迴流。幹法蝕刻通常更好。 氮化矽蝕刻 [46]
銀 (Ag) 1 NH4OH(30%, aq) : 1 H2O2(30%, aq) 快速蝕刻 Al, Poly SiO2, SiN, Si, M ? ? [47]
銀 (Ag) 1 HNO3(70%, aq) : 1 水 ? ? ? ? ? [48]
鉭 (Ta) 2 HF(49%, aq): 2 HNO3(70%, aq) : 5 H2O ? ? ? ? ? [49]
錫 (Sn) 2 HClO4(85%, aq) : 7 醋酸 (l, H3COOH) ? Pb, Ti SiO2, SiN, Si, PR ? ? [50]
錫 (Sn) 1 HF(49%, aq) : 1 HNO3(70%, aq) ? ? ? ? ? [51]
錫 (Sn) H2SO4(96%, aq) ? ? ? 在 80°C 下使用 ? [52]
鈦 (Ti) 1 HF(49% aq) : 30 H2SO4 (96% aq): 69 水 ? ? ? 在 70°C 下使用 ? [53]
鈦鎢 (TiW) H2O2(30%, aq) 5 nm/min @ 25°C ? ? ? 金屬蝕刻 [54]
鎢 (W) 1 HF(49%, aq) : 2 HNO3(70%, aq) ? ? ? ? 金屬蝕刻 [55]
釩 (Va) 1 HF(49%, aq) : 1 HNO3(70%, aq) : 1 水 ? ? ? ? ? [56]

參考文獻

溼蝕刻相容性圖表

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溼蝕刻相容性圖表（M 金屬；PR 固化光刻膠；Poly 聚合物）
蝕刻劑 49% HF BOE KOH H3PO4 KI 金蝕刻
未摻雜 Si 是 是 否 是
摻雜 Si
多晶 Si
熱氧化 SiO2
PECVD SiO2
SiN
Au
Al
Ni
PMMA

毛細現象

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溼蝕刻溶液的表面張力通常會導致微晶片中的可動部件出現問題，以及留下殘留物的液滴形成。

避免毛細現象

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  • 使用幹法/氣體蝕刻代替溼法蝕刻（例如，使用 HF 蒸汽代替 HF 溶液）
  • 使用臨界點乾燥法
  • 從溼法蝕刻液中快速轉移到清水沖洗浴中進行徹底沖洗，然後快速轉移到乙醇浴中乾燥 - 乙醇的低表面張力可減少乾燥時的毛細現象。
  • 使用具有氧化物犧牲層的矽結構 - HF 溼法蝕刻後，高度疏水的氫化矽將避免毛細現象。

矽 KOH 蝕刻

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氫氧化鉀 (KOH) 是一種各向異性溼法蝕刻劑，優先蝕刻 Si 的 100 晶面，幾乎不攻擊 111 晶面。這會導致 Si 100 中從蝕刻掩模的方形開口形成 V 形金字塔形孔洞，其側邊與表面的夾角為 54.7 度。蝕刻速率不依賴於 As、P、Sb 摻雜劑，但過高的 B 摻雜會降低 110 方向的蝕刻速率。100 和 110 方向的蝕刻速率可以透過在溶液中新增異丙醇來改變。

總反應式：Si + 2OH- + 4H2O -> Si(OH)2++ + 2H2 + 4OH-

KOH% 測定：KOH (%) = KOH 乾燥質量(g) / 溶劑(ml)

典型 30% KOH/異丙醇蝕刻溶液的配方

  • 將 70 克 KOH 顆粒溶解在 190 毫升去離子水中（使用加熱和/或超聲波來快速溶解）
  • 新增 40 毫升異丙醇
  • 蝕刻速率應在 80°C 時約為 1 微米/分鐘

KOH 蝕刻掩模可以使用氮化矽或氧化矽製成（儘管 SiO2 會被 KOH 緩慢蝕刻）

另請參閱

氧化矽蝕刻 (HF、BHF、BOE)

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注意：HF 非常危險，它的擴散速度比任何你能新增的物質都快，因此關鍵是不要與它接觸。它會攻擊你骨骼中的鈣、神經和血管 - 重要的是，它不會像其他酸一樣灼傷！穿上實驗服、眼罩和 6 小時手套，在封閉的通風櫥中操作。

基本反應式 SiO2 + 6HF -> H2SiF6+ 2H2O

蝕刻劑

  • HF 或 氫氟酸 是一種極具腐蝕性和毒性的溶液，由水中的 氟化氫 組成。
  • 緩衝氫氟酸蝕刻 (BHF) 或 緩衝氧化物蝕刻 (BOE) 是 氟化銨 和氫氟酸的混合物，具有更受控的氧化矽蝕刻速率。
  • 氟化銨 蝕刻劑會使矽表面具有比 HF 更平滑的原子表面，氟化銨溶液也可以用於製造原子級平坦的表面。請參閱 Higashi 撰寫的 Appl. Phys. Lett. 第 56 卷第 656 頁 1990 年。

氧化物蝕刻通常用於在汙染敏感工藝之前去除晶片中含雜質的天然氧化物層。與 HF 相比，BOE 的氧化物蝕刻速率更受控制（pH 值透過緩衝液穩定），但也會緩慢蝕刻 Si，而且 BOE 中的較高 pH 值會導致金屬沉澱，因此對於清潔工藝或薄的底層 Si 層，更可取的是 HF 蝕刻。

  • 49% HF 用於快速去除氧化物
  • BOE 使氧化物去除速度更慢，但可以延長光刻膠掩模的使用壽命。蝕刻速率通常為 1000-2500 Å/分鐘。
  • 稀釋的 HF 蝕刻液 - 例如 5% HF - 用於在大約 30 秒內去除天然氧化物。表面變得高度疏水。
  • HF/HCl 或 HF/甘油混合物可用於在減薄氧化物層時製造更光滑的表面
  • HF 與異丙醇混合可用於提高溶液的潤溼性，以便更好地蝕刻進入狹窄的孔隙。

蝕刻速率因氧化物質量而異（例如，是否為溼法爐生長或 PECVD）

緩衝氧化物蝕刻液或緩衝氫氟酸蝕刻液的配方

  • 製備 40% NH4F 溶液，例如在 60 毫升水中加入 40 克 NH4F。
  • 6 份 40% NH4F 和 1 份 49% HF - HF 會蝕刻玻璃，因此請使用塑膠燒杯！將 HF 新增到 NH4F 中，而不是將 NH4F 新增到 HF 中。

用於光滑氧化物的 BHF/HCl 蝕刻液的配方

  • 將 5 毫升上述緩衝氧化物蝕刻液新增到 85 毫升水中
  • 新增 10 毫升濃縮鹽酸

蝕刻速率在室溫下約為 1 微米/分鐘。

氮化矽蝕刻

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典型蝕刻速率

  • 在 180°C 時 H3PO4 中的標準蝕刻速率為 100 Å/分鐘，在 165°C 時為 55 Å/分鐘。首先使用短暫的 BHF 浸泡以去除氮氧化物層。
  • 10% HF 蝕刻速率為 5000 Å/分鐘
  • 1% HF 蝕刻速率為 600 Å/分鐘
  • BHF (7:1) 蝕刻速率為 5-20 Å/分鐘

金屬蝕刻

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清潔方法

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有幾種標準清潔程式。有些程式使用大量危險且具有高度腐蝕性的化學物質。不要低估保持清潔的重要性，而且在開始更危險的工藝之前進行簡單的肥皂沖洗可能會提高結果的質量。

沖洗

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在潔淨室中，你經常會看到人們透過將晶片浸入流動的水浴中來沖洗。這樣做的好處是晶片不會變幹，最終，任何需要衝洗掉的東西都會被去除。

但是想想如何從茶壺中去除茶葉：如果你把茶壺放在流水下，它可能永遠不會真正完全去除茶葉，而如果你儘可能多地倒出茶葉，新增少許水，再倒空，重複幾次，你的茶壺將完全乾淨，幾乎不需要用水。數學很簡單。如果你在一個大型浴缸中每分鐘新增 1/10 的水，那麼與新增少量水相比，你的稀釋速度會非常慢，而少量水可能一次就能使濃度變成 50/50，從而迅速降低原始汙染物的比例。

用噴射水沖洗晶片可能比浸入浴缸中沖洗效率高几個數量級，而且速度更快……

超聲波

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超聲波浴的工作原理是高頻聲音的駐波，駐波在波腹處會產生非常高的壓力變化，從而在聲音的壓力迴圈過程中形成水蒸氣泡併發生爆裂。氣泡爆裂會產生衝擊波，衝擊波會擊落表面上的任何鬆散物質，還會引發化學反應或導致軟材料出現點蝕，並損壞較小的 MEMS 結構。

肥皂

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不要低估普通肥皂或使用 Triton-X 等表面活性劑進行更苛刻處理的效力。特別是與超聲波一起使用時。

RCA

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由 RCA 公司開發的一種標準晶片清潔方法。它由兩個浴缸組成

  • RCA1 是一種 H2O:NH4OH:H2O2 清洗，用於去除有機殘留物。
  • RCA2 是一種 H2O:HCl:H2O2 蝕刻，用於去除金屬雜質。

RCA 清洗常在爐子工藝之前使用。

另請參閱

Piranha

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Piranha 溶液 通常由硫酸 (H2SO4) 和過氧化氫 (H2O2) 製成。但鹼性溶液和其他配方也稱為 Piranha。該溶液具有很強的腐蝕性。請使用通風櫥、實驗服、護目鏡和丁腈/6H 手套。為了有效地向人們展示其危險性，請嘗試將一小滴滴到一張紙上，它會立即發出嘶嘶聲並燃燒成黑色。

  • 酸性 Piranha（卡羅酸，過氧化硫酸） - 對於 10mL Piranha，將 7mL 95% H2SO4 倒入 3mL 30% H2O2 中 - 使用玻璃燒杯。混合後，混合物會加熱到約 80°C。
  • 過二硫酸蝕刻（也稱為 7-up，因為它在加熱到 80°C 時會起泡）。

這是一種用過硫酸銨進行的 Piranha 蝕刻。將 1L 95% H2SO4 在 80°C 下與一湯匙過硫酸銨混合。溶液會開始起泡，表明它已準備好。它可以重複使用多次（每次新增另一勺過硫酸銨），直到它不再起泡，必須更換。

  • 鹼性 Piranha 是氨水 (NH4OH) 與過氧化氫的 3:1 混合物。

Piranha 溶液會強烈蝕刻有機化合物。如果與有機溶劑混合，它會形成爆炸性化合物，因此請小心，不要在 Piranha 附近使用丙酮、乙醇或異丙醇等。

混合放熱會使溶液溫度升至 120°C，並可能導致劇烈沸騰，甚至飛濺出極酸性溶液。如果過氧化氫溶液濃度超過 50%，可能會發生爆炸。30% 的水溶液過氧化氫更合理。

過厚的汙染物可能會在 Piranha 中硬化，因此在 Piranha 清洗之前通常進行脫脂清洗。

例如，以下順序清洗常用於外延生長基底。

  • 在三氯乙烯中超聲波清洗 2 分鐘
  • 在丙酮中超聲波清洗 2 分鐘
  • 在乙醇中超聲波清洗 2 分鐘
  • 在超純水中超聲波清洗 2 分鐘 (MPW)
  • 然後用 MPW 沖洗 3 次。
  • Piranha 蝕刻 6 分鐘。
  • 用 MPW 沖洗 3 次。
  • 在 200-250°C 下乾燥烘烤 30 分鐘。

幹法蝕刻概述

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維基百科上的幹法蝕刻

反應離子蝕刻 (RIE、DRIE、ASE)

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反應離子蝕刻 (RIE) 概述表

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幹法蝕刻概述表
材料 蝕刻氣體和比例 蝕刻速率 也蝕刻 不蝕刻/選擇性 筆記 連結 參考資料
磷化銦 (InP) CH4 + H2 + Ar ("MHA")

Cl2 + Ar + He/N2 ("鹵化物")

 SiO2: ~10, Si3N4: ~3 對於 MHA，需要進行 O2 聚合物去除步驟

對於氯化學，約 200degC 用於使 InP/GaAs 合金的蝕刻速率相等
矽 (Si) Cl2 SiO2
二氧化矽 (SiO2) CHF3 ICP-RIE：CHF3=40sccm，0.5 Pa，ICP=900W，偏壓=200W，

冷卻氦氣 (背面) = 15degC，15sccm/700Pa

速率：220nm/分鐘

 SiN InP、Si http://www.cleanroom.byu.edu/trion_icp.phtml [57]
CF4 ICP-RIE：CF4=50sccm，壓力：12 mTorr，ICP：600W，RIE 功率：75，

均勻性：約 3% 的變化，蝕刻速率：3600A/分鐘
氮化矽 (Si3N4) CF4 InP、Si
鉭、五氧化二鉭 (Ta2o5)
二氧化鈦、二氧化鈦 (TiO2)
鈦 (Ti) Cl2/Ar SiO2、Si3N4 蝕刻速率/質量高度依賴於被蝕刻材料的數量和蝕刻溫度。需要適當/受控的散熱。 [58]

高階矽蝕刻 (ASE) / 深反應離子蝕刻 (DRIE)

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幹法清洗方法（等離子體、臭氧）

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等離子體灰化

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維基百科上的等離子體灰化

臭氧清洗

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維基百科上的臭氧清洗

濺射

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維基百科上的濺射

雷射燒蝕

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  • 二氧化碳雷射切割塑膠中的亞毫米結構
  • 準分子雷射燒蝕材料
  • 固態雷射燒蝕材料

氣體蝕刻

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  • 氫氟酸氣體蝕刻氧化物以避免在水性氟化物蝕刻劑中蝕刻時矽 MEMS 結構在乾燥過程中塌陷。例如，參見 http://www.imec.be/wwwinter/microsystems/SPIEpaper.pdf
  • 二氟化氙 (XeF2) 各向異性 (非定向) 幹法蝕刻鍺，原因與上述類似。
  • 雷射啟用氯氣蝕刻奈米級圖案

參考文獻

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另請參見有關編輯本書的說明，瞭解如何新增參考資料 Microtechnology/About#如何貢獻。

  1. ↑ 失效和良率分析手冊，技術協會，最初來自 矽遠東 網站，該網站現已不存在
  2. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  3. ↑ 失效和良率分析手冊，技術協會，最初來自 矽遠東 網站，該網站現已不存在
  4. ↑ 失效和良率分析手冊，技術協會，最初來自 矽遠東 網站，該網站現已不存在
  5. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  6. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  7. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  8. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  9. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  10. ↑ 佐治亞理工學院 網站
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  13. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  14. ↑ 佐治亞理工學院 網站
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  19. ↑ 佐治亞理工學院 網站
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  25. ↑ 佐治亞理工學院 網站
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  28. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
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  30. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  31. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  32. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
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  34. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  35. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  36. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  37. ↑ [http://www.eng.utah.edu/~gale/mems/etch%20rates.pdf 伯克利感測器和執行器中心網站，Kirt R Williams
  38. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  39. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  40. ↑ [http://www.eng.utah.edu/~gale/mems/etch%20rates.pdf 伯克利感測器和執行器中心網站，Kirt R Williams
  41. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  42. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  43. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  44. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  45. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  46. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  47. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  48. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  49. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  50. ↑ 佐治亞理工學院 網站
  51. ↑ 失效和良率分析手冊，Technology Associates，最初來自矽遠東 網站，該網站現已不存在
  52. ↑ 《失效和良率分析手冊》，Technology Associates，最初來自Silicon far east 網站，該網站現已不存在
  53. ↑ 《失效和良率分析手冊》，Technology Associates，最初來自Silicon far east 網站，該網站現已不存在
  54. ↑ 《失效和良率分析手冊》，Technology Associates，最初來自Silicon far east 網站，該網站現已不存在
  55. ↑ 《失效和良率分析手冊》，Technology Associates，最初來自Silicon far east 網站，該網站現已不存在
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  58. ↑ 用於 MEMS 應用的塊狀鈦的感應耦合等離子體蝕刻 E. R. Parker、B. J. Thibeault、M. F. Aimi、M. P. Rao 和 N. C. MacDonald，J. Electrochem. Soc. 152, C675 (2005)，DOI:10.1149/1.2006647
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