微奈米技術/光刻

光刻

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• 光刻簡介

紫外光刻 (UVL)

• 光刻
• 光刻膠

UVL 光刻掩模

各種型別的掩模用於 UVL

• 用於微米級解析度結構的鍍鉻玻璃掩模
• 用於最小尺寸為數十微米的結構的醋酸纖維素掩模

UVL 光刻膠

負型 UVL 光刻膠

• PMMA
• SU-8

電子束光刻 (EBL)

電子束光刻 提供了低至幾奈米範圍的線寬，遠小於光學光刻所能達到的水平。一個缺點是圖案寫入是一個序列過程，因此對於較大的結構來說非常耗時。

網路上的資源

• SPIE 微奈米光刻、微加工和微製造手冊 有一章關於 EBL 的線上內容

決定 EBL 解析度的因素

• 光束直徑
• 光刻膠靈敏度
• 顯影方法
• 鄰近效應
• 光刻膠厚度

電子束光刻膠

負型電子束光刻膠

在顯影后，負型電子束光刻膠將在照射區域保留下來。

• 電子束誘導沉積
• PMMA
• SU-8

正型電子束光刻膠

在顯影后，正型電子束光刻膠將在電子束照射區域被去除。PMMA 典型的 PMMA 工藝

• 透過在 5000 rpm 下旋轉 950k PMMA 5% 溶於苯甲醚的溶液 30 秒，製備 300 奈米厚的 PMMA 薄膜（在將光刻膠放置到晶片上時避免光刻膠中出現氣泡，大約使用 3 毫升的溶液來塗覆 4 英寸晶片）。
• 在 180°C 的熱板上烘烤 2 分鐘，或者在 180°C 的烘箱中烘烤至少 2 小時。烘箱比熱板需要更長的時間，因為對流傳熱比接觸傳熱慢。
• 電子束光刻。劑量取決於圖案密度和加速電壓。
• 在 MIBK:IPA (1:3) 中顯影 60 秒，然後在 IPA 中沖洗 30 秒。
• 後烘烤以提高刻蝕抗性。在 110°C 下烘烤 30 分鐘。
• 在法拉第籠中進行 20 秒的 5 毫巴氧等離子體處理以去除殘留的光刻膠。
• 例如，金屬蒸發形成金屬結構，然後在熱剝離劑 s-1165 和丙酮中進行 5 分鐘的剝離，在多個新鮮的浴液中進行剝離以去除剝離碎片。

• • ZEP

光刻膠塗覆

• 旋轉塗覆
• 電化學塗覆
• 噴塗（噴塗機由 EVG 等公司生產）
• 滴塗
• 自組裝單層膜

參考文獻

另請參閱有關編輯此書籍的資訊，瞭解如何新增參考文獻 微奈米技術/關於#如何貢獻。