奈米技術/其他方法
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點投影顯微鏡是一種場發射顯微鏡[1],由三個部分組成:電子源、成像物件和觀察屏[2]。
LEED 是一種用於成像表面的技術,主要有兩種使用方法:定性方法和定量方法。定性方法測量相對大小和幾何性質,而定量方法透過觀察衍射束來確定原子位置。
RHEED 與 LEED 相似,但使用更高的能量,並且電子以接近掠射入射的角度照射到表面。這樣,高能電子只穿透表面的幾個原子層。
X 射線光譜學 指的是一組技術,包括但不限於 X 射線吸收光譜學 和 X 射線光電子能譜學.
俄歇電子能譜學 是一種利用俄歇過程分析樣品表面層的技術[3]。
- 核磁共振 (NMR) - 在磁場中,分子核的自旋將發生進動,在強場 (數特斯拉) 下,進動頻率將處於射頻範圍內,可以透過接收射頻天線和放大器檢測到。單個核的進動頻率會略有不同,具體取決於其周圍分子的電子結構,因此檢測到樣品中射頻進動頻率的頻譜將提供該樣品中分子型別的指紋。
- 核四極共振 是一種相關的技術,它基於分子的內部電場導致核磁矩能級分裂。透過射頻 (如 NMR) 檢測到能級分裂。它主要用於實驗性爆炸物檢測。
電子自旋共振 (ESR) 測量 微波頻率 的 順磁性 離子或分子[4] 。
穆斯堡爾譜學 檢測原子核與周圍環境之間的超精細相互作用。原子必須是固體基質的一部分,以減少伽馬射線發射或吸收的反衝效應[5]。
熱輻射的紅外波長遠大於 1 µm,因此用熱成像儀拍攝奈米結構的照片不會提供關於奈米結構內部 (或微觀結構) 溫度分佈的太多資訊。
可以透過不同的非接觸方法測量區域性溫度
- 對單個量子點進行光譜學[1].
- 摻入結構中的雷射染料的光譜
- 拉曼顯微鏡 (溫度影響斯托克斯線和反斯托克斯線的幅度比、線寬和線的位置)
- 透射電子顯微鏡也可以透過各種技術提供溫度資訊[2]
- 尖端帶有溫度敏感電阻的特殊 AFM 探針可用於繪製表面溫度圖
- 紅外近場顯微鏡[6]
- 共聚焦拉曼顯微鏡可以提供 3D 熱圖[3]
另請參見有關編輯此書籍以新增參考的說明奈米技術/關於#如何貢獻.
- ↑ 羅喬,西奧多·喬治,保羅·阿瑟·塔克。“發射顯微鏡”。透過光、電子、X 射線或聲波進行顯微鏡的介紹 (第 16 章,第 329 頁) 1994 年。
- ↑ SEM 在成像和計量方面的未來
- ↑ 俄歇電子顯微鏡
- ↑ 什麼是 EPR?
- ↑ 穆斯堡爾譜學導論:第一部分
- ↑ C. Feng, M. S. Ünlü, B. B. Goldberg, and W. D. Herzog, “Thermal Imaging by Infrared Near-field Microscopy,” Proceedings of IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1996 Annual Meeting, Vol. 1, November 1996, pp. 249-250