奈米技術/STM/STM 尖端蝕刻
外觀
在我們開始之前,我們顯然需要提醒使用者一些顯而易見的事情:在你使用完裝置後清理乾淨 - 使用後,清空用於KOH的容器,並用去離子水 (DI) 徹底沖洗。KOH具有腐蝕性,因此使用後擦拭掉桌子/裝置上的液滴。
- 使用一根新切割的線 - 不要用手指接觸線卷,因為油脂會汙染它,影響以後的使用者 (有些人會在超高真空裝置中使用鎢絲,如果沾染了油脂指紋可能會造成很大損失,所以要小心)。
- 準備 100 毫升去離子水 (DI) 中溶解 16.8 克 KOH 顆粒的溶液,或者使用塑膠瓶中已配製好的溶液 (如果有)。
- 用溶液將特氟龍杯填滿。
- 將針夾到支架上,將針設定為正極,將溶液設定為負極。
- 將針浸入溶液中約 0.5 毫米 - 浸入越深,需要的時間越長...
- 用大約 10V 和 2mA 的停止電流進行蝕刻。如果你認為沒有任何反應發生,可以增加電壓來突破潛在的氧化層。
- 在顯微鏡下檢查尖端,如果需要再次蝕刻 - 有時只是快速浸泡就可以起到奇效。
大約 50 毫升 KOH 溶液的容器可以有效地蝕刻大約 3 個尖端,然後蝕刻速度會開始變慢。當蝕刻速度下降時,攪拌液體,使新鮮的蝕刻劑進入反應區域。
尖端會在約 10 小時內被氧化物覆蓋。可以通過沖洗少量 KOH 溶液來清除氧化物,或者在氧化物較厚的情況下,可以透過再次進行快速電化學蝕刻來清除氧化物。蝕刻後,尖端上會殘留一層薄薄的液體 - 用去離子水清洗並在熱空氣中乾燥通常會有所幫助。