可程式設計邏輯/可程式設計硬體

可程式設計邏輯

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超大規模積體電路

VLSI 代表“超大規模積體電路”，是用於多種不同晶片架構的術語，這些架構被整合（單個晶片上有多個元件），並且可用於多種不同目的。一些更現代的晶片被稱為 ULSI（U =“Ultra”），但 VLSI 和 ULSI 本質上是一樣的。

VLSI（超大規模積體電路）是指包含大約十萬個以上電晶體的積體電路。目前，包含數百萬個電晶體的晶片有時被稱為 ULSI（超大規模積體電路），但設計複雜性與 VLSI 相似。

名稱	描述
反熔絲	一次性可程式設計。 CMOS。
EEPROM	電可擦可程式設計只讀儲存器技術。可以擦除，即使在塑膠封裝中也是如此。某些（但並非全部）EEPROM 器件可以在系統中程式設計。 CMOS。
EPROM	可擦除可程式設計只讀儲存器技術。由於塑膠封裝的原因，通常在生產中一次性可程式設計。帶視窗的器件可以使用紫外線 (UV) 光擦除。 CMOS。
快閃記憶體	快閃記憶體擦除 EPROM 技術。可以擦除，即使在塑膠封裝中也是如此。某些（但並非全部）快閃記憶體器件可以在系統中程式設計。通常，快閃記憶體單元比等效 EEPROM 單元小，因此製造成本更低。 CMOS。
熔絲	一次性可程式設計。雙極型。
SRAM	基於靜態儲存器技術。可以在系統中程式設計和重新程式設計。需要外部引導裝置。 CMOS。