高階無機化學/π供體和受體配體

π供體配體和π受體配體的MO圖

配體與中心金屬的配位性質是絡合物的重要特徵，與金屬識別及其氧化態等其他性質一起。更具體地說，是配體的身份以及它向中心原子供電子或接受電子的能力，將決定分子軌道。

光譜化學序列顯示了化合物從弱場到強場配體的趨勢。此外，配體可以透過它們的π鍵相互作用來表徵。這種相互作用揭示了分子軌道的eg和t2g能級之間的分裂程度，最終決定了配體的場強。

弱場配體示例 X^-, OH^-, H₂O ; 強場配體示例 H^-, NH₃, CO, PR₃

高自旋和低自旋的電子構型。

在π供體配體中，配體的SALC是佔據的，因此它將電子捐獻給分子σ σ* 和π π* 軌道。與eg相關的軌道不參與π相互作用，因此它保持在相同的能級（圖1）。另一方面，佔據的配體SALC t_2g 軌道將與金屬t_2g 軌道形成分子軌道（即d_xy, d_xz, d_yz），其能量低於其金屬對應物。所得的MO具有π* 軌道，其能量低於由非鍵合軌道（eg）形成的σ* 軌道。t_2g π* 和e_g σ軌道之間的差異表示為Δ，分裂。在π供體情況下，由於π*能級較低，Δ較小。

相反，π接受軌道的t_2g SALC能量高於金屬t_2g 軌道，因為它們是未佔據的。所得的t_2g π* 軌道高於σ* 軌道。這在e_g 和t_2g π軌道之間產生了更大的Δ，使這些π接受軌道成為高分裂配體。

最後，配體身份影響的Δ的大小將決定電子如何在金屬d軌道中分佈（圖2）。弱場配體產生小的Δ，因此產生高自旋構型。強場配體產生大的Δ，因此在d電子上產生低自旋構型。